sexta-feira, 11 de novembro de 2011

Intel apresenta transistores 3-D de 22 nanômetros

Intel apresenta transistores 3-D de 22 nanômetros: Os transistores tridimensionais representam uma mudança radical em relação à estrutura do transístor planar bidimensional clássico.
Tri-Gate
A Intel anunciou o início da fabricação em escala industrial de transistores 3-D com estruturas de 22 nanômetros.
Ainda não são os tão esperados processadores 3-d, mas representam um inegável avanço em direção à economia de energia e um novo fôlego para a Lei de Moore.
Os transistores 3-D, chamados Tri-Gate, serão usados na fabricação de uma família de microprocessadores de 22 nanômetros que atende pelo codinome de Ivy Bridge.
Transístor 3-D
Desde a invenção de transístor, há mais de 60 anos, esta é a primeira vez que um transístor 3-D entra em linha industrial de produção.
Um transístor possui três portas, ou eletrodos, chamadas emissor, coletor e base. Nos transistores planos atuais, esses eletrodos são construídos como três fios salientes sobre uma superfície de silício.
No Tri-Gate, cada porta fica em um dos planos de uma única saliência - uma de cada um dos lados e outra no topo - reduzindo significativamente a área ocupada pelo transístor.
A maior proximidade das portas permite um melhor controle da corrente, o que significa que mais corrente pode passar quando o transístor está na condição "ligado" - aumentando o desempenho - e quase nenhuma corrente flui quando ele está na condição "desligado" - diminuindo o consumo de energia.
Esses ganhos podem ser ampliados até um certo limite, ao menos teoricamente, aumentando a altura da estrutura Tri-Gate, o que deverá ser obtido nas futuras gerações dos transistores 3-D.

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